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南京大學(xué)團隊在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域取得突破性進展

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領(lǐng)域取得重要進展

我國在太空成功驗證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

嘉善復(fù)旦研究院與復(fù)旦大學(xué)科研團隊在低傳導(dǎo)損耗功率器件方面取得重大進展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進展

中山大學(xué)王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價技術(shù)體系報告》

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

淺述GaN功率器件的發(fā)展

Nature Electronics 電力電子首篇綜述 - 功率器件的多維結(jié)構(gòu)

簡述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

簡述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

汽車功率器件的熱管理探討

碳化硅功率器件在車載充電機 OBC中的應(yīng)用簡述

中國半導(dǎo)體功率器件 TOP10

碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望

日企致力于開發(fā)功率器件應(yīng)用材料以減工時

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