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又見跨界收購！“一代鞋王”擬入局存儲芯片領(lǐng)域

宇電精密溫控獲評國家級專精特新“小巨人”，品牌空間亮相廈門地鐵

華工科技半導(dǎo)體激光裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室啟動

三星電子獲美47.45億美元芯片補(bǔ)貼

官宣！日產(chǎn)本田確認(rèn)合并！

24億元！惠科與綿投集團(tuán)簽訂增資擴(kuò)股協(xié)議

2024年中國半導(dǎo)體并購31件模擬芯片和材料成熱點(diǎn)

一代鞋王跨界半導(dǎo)體，奧康國際籌劃增發(fā)收購聯(lián)和存儲科技

現(xiàn)代汽車解散半導(dǎo)體戰(zhàn)略部門，原計(jì)劃自研5nm芯片

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

華海清科自主研發(fā)清洗裝備已批量用于晶圓再生生產(chǎn)

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結(jié)構(gòu)及制備方法”專利公布

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天域半導(dǎo)體向港交所遞交上市申請

華為申請?zhí)蓟枰r底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

鄭州勢壘取得用于金剛石生長的 MPCVD 裝置專利，能有效隔離外界空氣維持真空工作環(huán)境

廣東中圖半導(dǎo)體申請高一致性圖形化襯底制備方法專利，解決圖形化襯底均一性降低問題

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

東方晶源榮獲2025 IC風(fēng)云榜“年度領(lǐng)軍企業(yè)獎(jiǎng)”

上海瑞華晟申請SiC/SiC復(fù)合材料制備方法專利，提升材料抗氧化性

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產(chǎn)量

蘇州立琻半導(dǎo)體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

用AI鏈接芯世界，此芯科技2024生態(tài)大會完美收官

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國首座大批量300毫米硅晶圓工廠

上海積塔半導(dǎo)體申請檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

浙江睿熙申請 VCSEL 集成晶圓及其制造方法專利，實(shí)現(xiàn)晶圓級別集成

森國科申請 MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

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