2025年4月29日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟編寫的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告（2023）》（以下簡(jiǎn)稱“報(bào)告”）在全體成員積極參與下，在廣大專家支持把關(guān)下，重磅發(fā)布！

報(bào)告對(duì)2024年度國(guó)內(nèi)外第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策環(huán)境變化、產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)展、產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)等方面的進(jìn)展進(jìn)行了詳細(xì)總結(jié)分析，助力政府部門及企事業(yè)單位在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的決策支撐。報(bào)告從形勢(shì)政策、市場(chǎng)應(yīng)用、生產(chǎn)供給、企業(yè)格局、技術(shù)進(jìn)展等五大方面進(jìn)行分析，并對(duì)超寬禁帶半導(dǎo)體材料、專用裝備、標(biāo)準(zhǔn)等相關(guān)進(jìn)展進(jìn)行總結(jié)。   

總體而言，2024年，在新能源汽車、消費(fèi)電子、人工智能、5G-A 等需求拉動(dòng)下，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其中，功率器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到176億元，同比增長(zhǎng)14.8%；射頻器件市場(chǎng)規(guī)模為108 億元，同比微增4.5%；LED 器件市場(chǎng)規(guī)模為784 億元，與去年基本持平。國(guó)內(nèi)碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)能快速擴(kuò)張，價(jià)格下滑明顯。晶圓制造能力大幅提高，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET 器件開始應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)系統(tǒng)，SiC 模塊實(shí)現(xiàn)大批量供應(yīng)。SiC龍頭企業(yè)市場(chǎng)占有率進(jìn)一步提高，材料企業(yè)進(jìn)入全球第一梯隊(duì)。GaN 功率電子產(chǎn)能利用率和產(chǎn)量快速提升，龍頭企業(yè)出貨量翻倍增長(zhǎng)，居全球領(lǐng)先地位。2024年，國(guó)內(nèi) 6 英寸SiC 襯底實(shí)現(xiàn)規(guī)?；┴?，8 英寸逐步量產(chǎn)，12 英寸研發(fā)成功，溝槽型SiC MOSFET 芯片工藝流程貫通。6 英寸GaN 單晶襯底開始小批量生產(chǎn)，8英寸藍(lán)寶石基GaN 單晶實(shí)現(xiàn)厚膜生長(zhǎng)。GaN 功率器件耐壓水平拓展至1200V-10kV，雙面散熱、驅(qū)動(dòng)集成封裝產(chǎn)品持續(xù)推出。GaN 射頻異質(zhì)集成技術(shù)成為熱點(diǎn)，面向移動(dòng)終端的GaN 解決方案啟動(dòng)部署。Micro-LED 紅光亮度提升，全彩化技術(shù)路線快速演進(jìn)，紫外光源與探測(cè)、大功率激光器產(chǎn)業(yè)化能力提升。

展望2025年，在全球市場(chǎng)復(fù)蘇和國(guó)家“兩新”、“兩重”、“雙碳”等政策助力下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將催生更多新增長(zhǎng)點(diǎn)，并帶動(dòng)功率及射頻電子產(chǎn)值增速達(dá)到 20%以上。

感謝聯(lián)相關(guān)專家、相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)及會(huì)員單位對(duì)報(bào)告完成及聯(lián)盟工作的大力支持！報(bào)告電子版已發(fā)送到聯(lián)盟各會(huì)員單位郵箱，如有未收到的請(qǐng)與聯(lián)盟秘書處聯(lián)系。

聯(lián)系人：李娟 010-82388680  lijuan@casa-china.cn

（來源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）