近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱“華芯微電子”）首條6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。

華芯微電子于2023年在珠海高新區(qū)成立，其格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目是廣東省重點項目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項目。

該項目自開工建設以來，華芯微電子與格力集團等項目設計、建設單位密切配合，瞄準節(jié)點、高效推進、合力攻堅，僅用184天便完成項目主體封頂，180天完成設備移入安裝和二次配工程、90天完成設備調(diào)試和生產(chǎn)線通線。

格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目以化合物半導體晶圓代工技術(shù)創(chuàng)新主導，致力于打造具有國際領先水平的化合物半導體工藝平臺，推出高品質(zhì)、高良率的制程技術(shù)，全力協(xié)助國內(nèi)企業(yè)實現(xiàn)射頻芯片國產(chǎn)化制造，成為中國最大的射頻晶圓代工廠，推動射頻科技自立自強。