本屆CSE博覽會(huì)由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實(shí)驗(yàn)室共同主辦，以“聚勢(shì)賦能 共赴未來(lái)”為主題，將匯集全球頂尖的化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)專家、行業(yè)領(lǐng)袖和創(chuàng)新者，采用“示范展示+前沿論壇+技術(shù)與商貿(mào)交流”的形式，為產(chǎn)業(yè)鏈的升階發(fā)展搭建供需精準(zhǔn)對(duì)接平臺(tái)，助力企業(yè)高效、強(qiáng)力拓展目標(biāo)客戶資源，加速驅(qū)動(dòng)中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善和升級(jí)。

CSE作為2024年首場(chǎng)國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)得到了多方力量的大力支持，三大主題展區(qū)，六大領(lǐng)域，將集中展示各鏈條關(guān)鍵環(huán)節(jié)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新服務(wù)，將打造化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的標(biāo)桿性展會(huì)。助力打造全球化合物半導(dǎo)體平臺(tái)、技術(shù)、產(chǎn)業(yè)的燈塔級(jí)盛會(huì)，集中展示化合物半導(dǎo)體上下游全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品，搭建企業(yè)發(fā)布年度新產(chǎn)品新技術(shù)的首選平臺(tái)，支撐產(chǎn)業(yè)鏈及中部地區(qū)建設(shè)具有全球影響力的萬(wàn)億級(jí)光電子信息產(chǎn)業(yè)集群。

江蘇魯汶儀器股份有限公司于2015年9月，由比利時(shí)魯汶儀器、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所等共同注資成立。總部位于江蘇省徐州市，在北京、上海設(shè)有全資子公司。 

魯汶儀器致力于為集成電路制造產(chǎn)業(yè)提供先進(jìn)的裝備和工藝解決方案。針對(duì)邏輯、存儲(chǔ)、功率器件、光學(xué)、微顯示等領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝道次，魯汶儀器研發(fā)了業(yè)界領(lǐng)先的離子束塑形設(shè)備(IBS)、離子束沉積設(shè)備(IBD)等，為客戶推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新、提升產(chǎn)能、優(yōu)化工藝提供穩(wěn)定可靠的設(shè)備與完善的技術(shù)支持。 

魯汶儀器也提供電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備(ICP)、薄膜沉積設(shè)備(CVD)，以及氣相分解金屬沾污收集設(shè)備(VPD)等晶圓工藝制造設(shè)備與檢測(cè)設(shè)備。 

產(chǎn)品介紹

Pangea^® 系列

12英寸離子束塑形設(shè)備（IBS）

Pangea^® 系列IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速，中性束流撞擊樣品表面，濺射形成圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠(yuǎn)離晶圓空間，起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案，幾乎可以用來(lái)處理任何固體材料，包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨(dú)立控制，提升了工藝可控性；載片臺(tái)的角度可調(diào)整，實(shí)現(xiàn)離子束傾斜入射，可用于形成特殊圖案，也適用于側(cè)壁清洗等工藝。

Ganister™ 系列

8英寸離子束沉積設(shè)備（IBD）

Ganister™ 系列離子束沉積設(shè)備，是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開(kāi)發(fā)的專用產(chǎn)品，在磁性存儲(chǔ)、光學(xué)以及超導(dǎo)等領(lǐng)域中被廣泛使用。該設(shè)備采用濺射成膜，靶材選擇范圍廣。而其采用的多槽旋轉(zhuǎn)靶材基座，更可快速切換多種靶材，應(yīng)對(duì)高質(zhì)量復(fù)雜膜層結(jié)構(gòu)的沉積應(yīng)用。選配的輔助離子源，可以實(shí)現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外，Ganister™ 的輔助離子源也可進(jìn)行離子束刻蝕，一個(gè)腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝，顯著提高了該設(shè)備的功能。

Chimera^® 系列

12英寸ICP刻蝕設(shè)備

Chimera^® 系列12英寸ICP刻蝕設(shè)備，是面向半導(dǎo)體晶圓制造所設(shè)計(jì)的專用設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、柵極刻蝕、鎢回刻、SADP、氮化鈦（TiN）金屬硬掩膜刻蝕、0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝、鋁墊（Al pad）刻蝕等工藝。

Pishow^® 系列

8英寸ICP刻蝕設(shè)備

Pishow^® 系列8英寸ICP刻蝕設(shè)備，是面向半導(dǎo)體晶圓制造所設(shè)計(jì)的專用設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)鋁互連，STI和柵極刻蝕，深硅刻蝕以及主流的化合物刻蝕工藝。

Pishow^® M2 金屬刻蝕設(shè)備可用于8英寸的IC產(chǎn)線的鋁金屬互連及鋁墊刻蝕工藝。 Pishow^® P硅刻蝕設(shè)備，提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各項(xiàng)工藝的刻蝕解決方案。Pishow^® A2刻蝕設(shè)備則擁有多種材料刻蝕解決方案，包括介質(zhì)和化合物半導(dǎo)體，高配可選ALE解決方案，實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕速率和均勻性的高精度控制。

值得一提的是，Pishow^® 系列專為8英寸生產(chǎn)線的刻蝕工藝進(jìn)行了設(shè)計(jì)優(yōu)化，在保證領(lǐng)先業(yè)界的刻蝕均勻性，出色的刻蝕選擇比，以及優(yōu)良的顆?？刂七@些指標(biāo)的同時(shí)，達(dá)成了遠(yuǎn)超行業(yè)水準(zhǔn)的MTBC時(shí)數(shù)，大大降低了CoC。該系列以其高性價(jià)比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，為客戶投產(chǎn)、達(dá)產(chǎn)以及產(chǎn)能升級(jí)提供了細(xì)致完備的支持。