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甬矽電子擬投資建設高密度及混合集成電路封裝測試項目

日期:2023-11-15 閱讀:236
核心提示:大半導體產業(yè)網消息,據甬矽電子11月15日早間公告稱,為推進公司長遠發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,擴大公司在集成電路封測行業(yè)的市場規(guī)模,提升

 大半導體產業(yè)網消息,據甬矽電子11月15日早間公告稱,為推進公司長遠發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,擴大公司在集成電路封測行業(yè)的市場規(guī)模,提升公司的核心競爭力,公司擬以控股子公司甬矽半導體作為項目實施主體,投資建設高密度及混合集成電路封裝測試項目,項目總金額預計不超過人民幣215,651萬元。

據悉,本項目擬通過租用生產廠房進行建設,預計租用生產廠房總建筑面積約 44,890.74平方米,同時需對生產廠房的部分區(qū)域按百級潔凈廠房要求進行裝修改造,預計裝修廠房面積約30,696平方米;另外,本項目擬購置先進的生產設備及輔助設備,預計項目建成并達產后可新增年產87,000萬顆高密度及混合集成電路封裝測試。

據了解,本項目的實施,有利于提升公司先進封裝測試工藝包括FC類產品的競爭優(yōu)勢,符合客戶群對先進封測工藝日益增長的需求,為公司后續(xù)承接高端產品訂單奠定基礎。本次投資項目符合公司整體的發(fā)展戰(zhàn)略,有利于擴大公司在集成電路封測行業(yè)的市場規(guī)模,提升公司的核心競爭力。

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