12月8日，陜西省西咸新區(qū)涇河新城與江西譽鴻錦材料科技有限公司簽訂戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，總投資116億元的西安第三代化合物半導(dǎo)體芯片與器件產(chǎn)業(yè)化項目落戶涇河新城。

該項目將以第三代化合物半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）為核心內(nèi)容，建立第三代化合物半導(dǎo)體研發(fā)中心，開展氮化鎵基半導(dǎo)體核心技術(shù)攻關(guān)、新品研發(fā)等工作。

西咸新區(qū)消息稱，江西譽鴻錦材料科技有限公司系項目主體方，專注于GaN電子器件研發(fā)，已掌握氮化鎵外延、器件制備和封裝等領(lǐng)域的核心技術(shù)；天石基金管理（深圳）有限公司將對項目進行注資，其股東來自多家知名企業(yè)實際控制人及核心成員，管理團隊成員多來自國內(nèi)外投資機構(gòu)、上市公司、基金公司及金融機構(gòu)等，將進一步助力項目早日投產(chǎn)達效。