近日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。 
期間，“超寬禁帶半導體材料“論壇上，西安交通大學助理教授王艷豐做了題為”大面積單晶金剛石及場效應晶體管的研究“的主題報告。GaN HEMT器件通常在柵寬不到200μm的小器件可測得高的輸出功率密度，而當要實現(xiàn)大的輸出總功率時，隨著器件柵寬的增加輸出功率密度下降的十分嚴重，且頻段越高這個問題越嚴重。材料的內(nèi)稟特性決定了電子器件的性能，既有高導熱又有寬禁帶的半導體成為主題。

 

金剛石在高溫、高頻、高效大功率半導體器件應用領域極具潛力，可應用于高端武器裝備、電力電子器件、兆瓦級微波與光學窗口、航空航天、高端集成等領域。報告具體分享了金剛石材料的新進展以及金剛石場效應晶體管研究的最新成果。

 

報告指出，英寸級單晶金剛石已經(jīng)研制出來，需進一步提高質(zhì)量，降低缺陷密度，更大面積的單晶金剛石也已經(jīng)在同-異質(zhì)外延兩方面開展工作；金剛石基微波器件、功率電子器件已經(jīng)開展了大量的工作。

 

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）