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韓媒:中國半導體材料和設備國產化加速

日期:2021-08-06 來源:摩爾芯聞閱讀:305
核心提示:近期,中國半導體設備材料國產化進程不斷加快,相關公司股價不斷上漲。特別是,我們注意到光刻膠、曝光設備、沉積設備和離子注入機的本地化正在進行中。
近期,中國半導體設備材料國產化進程不斷加快,相關公司股價不斷上漲。特別是,我們注意到光刻膠、曝光設備、沉積設備和離子注入機的本地化正在進行中。
 
半導體光刻膠在中國的國產化
 
近期中國半導體設備和材料的國產化進展令人矚目,相關企業(yè)股價回報良好。由于美國制裁,中國半導體設備進口難度加大,加快了自身設備的發(fā)展。28nm制程光刻設備將于年底在中國上市,離子注入機等也正在取得進展。
 
光刻膠在中國的發(fā)展也在加速。南大光電宣布ArF光刻膠開發(fā)成功,導致其股價在五天內上漲了68%。蘇州瑞虹也在量產供應給中國半導體廠商的i-line光刻膠,并正在開發(fā)KrF光刻膠,目前處于中試階段,計劃從2022年開始量產。
 
中國半導體設備和材料制造商表現(xiàn)良好
 
由于中國政府的支持集中在半導體設備和材料制造商,相關公司的股價應該會脫穎而出。我們關注可以生產GaN半導體的MOCVD設備制造商AdvancedTechnology& Materials, CVD和清潔設備制造商NauraTechnology,以及光刻膠和沉積前驅體制造商 NataOptoelectronic。
 
與此同時,中國 DRAM 龍頭廠商的DDR419nm 工藝良率已上升至 75%,考慮到其相對較短的歷史,這是一個合理的水平。該公司計劃在年底前開始17nm工藝量產。其目前的 DRAM 容量為 40K WPM,但計劃到 2021 年底升級到 60K WPM。
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