日本是半導(dǎo)體材料強(qiáng)國(guó)，行業(yè)地位強(qiáng)勢(shì)。據(jù)了解，全球生產(chǎn)半導(dǎo)體所需的必備材料共19種，其中14種日本都占據(jù)了50%的市場(chǎng)。

 

而在日前，日本半導(dǎo)體行業(yè)傳來(lái)一則好消息，預(yù)示著日本在新一代功率半導(dǎo)體材料的競(jìng)爭(zhēng)中，又一次走到了世界的前列。

 

據(jù)6月16日日媒傳來(lái)的消息稱，日本Novel Crstal Technology（以下簡(jiǎn)稱NCT）成功量產(chǎn)100mm（4英寸）氧化鎵晶圓，這還是全球首次。據(jù)了解，NCT將于今年年內(nèi)向客戶供應(yīng)100mm晶圓。

 

這一成就，再一次顯示出日本半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的強(qiáng)大。并且，這還讓日本在未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)之中更具優(yōu)勢(shì)。

 

據(jù)了解，氧化鎵是第四代半導(dǎo)體材料之一，是一種超寬帶半導(dǎo)體材料。氧化鎵具有抗高溫、大功率、抗輻射等優(yōu)勢(shì)。

同第三代半導(dǎo)體材料氮化硅相比，氧化鎵的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是其3.2倍，巴利加優(yōu)值是其近10倍，在禁帶寬度上氧化鎵也更具優(yōu)勢(shì)，在4.9-5.3eV。

 

并且，氧化鎵能夠更高效的控制電力。作為功率半導(dǎo)體材料，工業(yè)設(shè)備、純電動(dòng)車等大電流控制用途的零部件，是氧化鎵的主要陣地，其氧化鎵的這一特質(zhì)讓它能發(fā)揮出更出色的表現(xiàn)。

 

不僅如此，氧化鎵晶圓的價(jià)格還比碳化硅更實(shí)惠，畢竟氧化鎵的成本只有碳化硅的1/8。因此，若是氧化鎵晶圓能大面積應(yīng)用，有望降低電子設(shè)備的成本，拉低產(chǎn)品價(jià)格。

 

由此不難看出，氧化鎵的各項(xiàng)優(yōu)勢(shì)都十分明顯。未來(lái)，氧化鎵有望在新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、國(guó)防軍工等領(lǐng)域大展身手。

 

如今，日本企業(yè)率先實(shí)現(xiàn)100mm氧化鎵晶圓量產(chǎn)，這表示其已經(jīng)在新一輪競(jìng)爭(zhēng)之中獲得了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

 

同時(shí)這也預(yù)示著，在龐大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)之中，日本企業(yè)的發(fā)展有望更進(jìn)一步，保持住自身“功率半導(dǎo)體大國(guó)”的位置。日本有望進(jìn)一步強(qiáng)化其在功率半導(dǎo)體上的優(yōu)勢(shì)地位，穩(wěn)住自身行業(yè)領(lǐng)先位置。

 

面對(duì)日本半導(dǎo)體的又一次進(jìn)步，我國(guó)必須加以警醒。

 

中國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上本就落后于人，而且如今全球貿(mào)易環(huán)境不確定性增加，中國(guó)更是應(yīng)該加快芯片發(fā)展的腳步，擺脫對(duì)外資企業(yè)的依賴。

 

只有這樣，國(guó)產(chǎn)芯片才能實(shí)現(xiàn)獨(dú)立自主，不會(huì)輕易被“卡脖子”。希望我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也能有更多好消息傳來(lái)。