北京市發(fā)展和改革委員會近日公布2021年“3個100”重點工程計劃。項目總投資超1.3萬億元，當(dāng)年計劃完成投資約2780億元、建安投資約1256億元，包括120個新開工項目和180個續(xù)建項目。
“3個100”北京市重點工程主要包括100個重大基礎(chǔ)設(shè)施項目、100個重大民生改善項目、100個科技創(chuàng)新及高精尖產(chǎn)業(yè)項目。
100個重大基礎(chǔ)設(shè)施項目包括：國鐵、高速公路項目14個，推進(jìn)京津冀協(xié)同交通一體化；軌道交通、市郊鐵路項目18個；站城一體化交通樞紐項目10個；城市道路及交通基礎(chǔ)設(shè)施配套項目29個，進(jìn)一步織密城市道路網(wǎng)絡(luò)；能源、水務(wù)、固液態(tài)廢物處理、應(yīng)急保障等市政設(shè)施項目29個。
100個重大民生改善項目主要是引導(dǎo)教育、醫(yī)療等各類資源均衡配置，貫通大尺度綠色空間，推進(jìn)城市更新。項目包括：政策性住房項目6個，加大公共租賃住房等建設(shè)力度，建設(shè)職住一體的高端人才工作居住空間；教育項目22個，加大對新城、重點區(qū)域和農(nóng)村地區(qū)中小學(xué)校支持力度；醫(yī)療養(yǎng)老項目28個；文化體育項目26個；老舊小區(qū)改造及街區(qū)更新項目10個；綠化項目8個。
100個科技創(chuàng)新及高精尖產(chǎn)業(yè)項目突出北京加快建設(shè)國際科技創(chuàng)新中心，積極打造數(shù)字經(jīng)濟(jì)先導(dǎo)區(qū)和示范區(qū)。項目包括：推進(jìn)懷柔科學(xué)城建設(shè)綜合性國家科學(xué)中心，安排重大科技設(shè)施平臺集群項目8個；先進(jìn)制造業(yè)項目37個，著力擴(kuò)大智能制造投資，推動集成電路、生物醫(yī)藥等制造業(yè)項目集中落地；金融業(yè)、服務(wù)業(yè)擴(kuò)大開放項目16個；數(shù)字經(jīng)濟(jì)和科技創(chuàng)新空間資源項目23個，加快布局工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)，實施區(qū)塊鏈創(chuàng)新發(fā)展行動計劃，推進(jìn)高級別自動駕駛示范區(qū)建設(shè)；文化旅游項目16個。
圖片來源：北京發(fā)改委
先進(jìn)制造業(yè)項目名單中，包括了北方華創(chuàng)半導(dǎo)體裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)產(chǎn)項目、中科九微半導(dǎo)體裝備用真空產(chǎn)品制造基地、華卓精科半導(dǎo)體裝備關(guān)鍵零部件研發(fā)制造二期項目、江豐濺射靶材及關(guān)鍵零部件項目、中芯北方12英寸集成電路生產(chǎn)線（二期）工程、集創(chuàng)北方芯片設(shè)計和封測基地項目、第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目、第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房等。
新建項目
北方華創(chuàng)半導(dǎo)體裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)產(chǎn)項目
建設(shè)規(guī)模約20萬平方米，項目建成后將具備年產(chǎn)半導(dǎo)體裝備1300臺、高端真空裝備200臺的生產(chǎn)能力
中科九微半導(dǎo)體裝備用真空產(chǎn)品制造基地
建設(shè)規(guī)模約2.1萬平方米，建設(shè)面向半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域的高端真空系列產(chǎn)品研發(fā)及生產(chǎn)基地
華卓精科半導(dǎo)體裝備關(guān)鍵零部件研發(fā)制造二期項目
建設(shè)規(guī)模約6.8萬平方米，建設(shè)激光退火設(shè)備、靜電卡盤、運動平臺與隔振器等生產(chǎn)廠房
江豐濺射靶材及關(guān)鍵零部件項目
建設(shè)規(guī)模約2.4萬平方米，建設(shè)內(nèi)容為半導(dǎo)體、平板顯示器、高轉(zhuǎn)化率太陽能電池產(chǎn)業(yè)的超高純金屬靶材制造生產(chǎn)線及大型設(shè)備關(guān)鍵部件生產(chǎn)線
續(xù)建項目
中芯北方12英寸集成電路生產(chǎn)線（二期）工程
建設(shè)規(guī)模約28.6萬平方米，建設(shè)內(nèi)容為兩條45/40納米到32/28納米集成電路生產(chǎn)線，月總產(chǎn)能7萬片12英寸晶圓；新建廠房、研發(fā)樓等
集創(chuàng)北方芯片設(shè)計和封測基地項目
建設(shè)規(guī)模約9.5萬平方米，建設(shè)先進(jìn)顯示芯片封裝、測試生產(chǎn)線及新工藝試驗線，同時建立集創(chuàng)北方研發(fā)中心
第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目
建設(shè)規(guī)模約5.5萬平方米，新建第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地，新建滿足400臺單晶生長爐生長、加工、清洗和檢測的廠房1座并建立配套的動力站、科研樓等配套用房
第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房
建設(shè)規(guī)模約7.4萬平方米，主要建設(shè)生產(chǎn)用房及配套辦公用房
