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近日，Luceda China總經(jīng)理曹如平博士做客半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)芯友薈，分享了新時(shí)代趨勢(shì)下，光電子集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的變化、機(jī)遇與挑戰(zhàn)，以及Luceda的發(fā)展策略與思考。

國(guó)產(chǎn)汽車(chē)芯片協(xié)力推動(dòng)汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展傅建軍中科芯集成電路有限公司MCU事業(yè)部副總經(jīng)理FU JianjunChina KEY SYSTEMIntegrated Circuit Co., Ltd

InGaN基紅色發(fā)光二極管：從傳統(tǒng)LED到Micro-LEDInGaN-based red light-emitting diodes: from traditional to micro-LEDs莊喆南京大學(xué)蘇州校區(qū)集成電路學(xué)院助理教授ZHUANG ZheAssistant Professor for School of Integrated Circuits in Nanjing University Suzhou Campus

用于極端環(huán)境電子產(chǎn)品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學(xué)院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden

《全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)》作者：孫瑞澤，劉超，陳萬(wàn)軍，張波單位：電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，電子科技大學(xué)四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心

《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院

福州大學(xué)的林維明教授帶來(lái)了《基于APWM-PFM控制的降壓Cuk/LLC單級(jí)LED驅(qū)動(dòng)電路》主題報(bào)告。

加拿大多倫多大學(xué)教授Wai Tung NG則帶來(lái)了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路”研究報(bào)告氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢(shì)，但降低成本的可能性卻更大。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通...