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GaN半導(dǎo)體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業(yè)大學(xué)教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統(tǒng)探究了各種

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶：低毒性量子點復(fù)合材料LED器件應(yīng)用

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶帶來則介紹了量子點用于固態(tài)照明的量子點硅脂納米復(fù)合材料。更多精彩報告，請關(guān)注下載極智頭條APP！