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用于氮化鎵異質(zhì)外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術(shù)High Temperature PVD AlN e Buffer Layer Technology for GaN Heteroepitaxy

以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長問題、詳細(xì)分

基于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的-Ga2O3薄膜異質(zhì)外延及其在場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用王鋼*，陳偉驅(qū)，羅浩勛，陳梓敏，盧星，裴艷麗中山大學(xué)

氧空位在異質(zhì)外延-Ga2O3薄膜MSM型光電探測器中的影響許銳，馬曉翠，梅洋，應(yīng)磊瑩，張保平*，龍浩*廈門大學(xué)

《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)

《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國，程倩，馮倩，張雅超，張進(jìn)成單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院

《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實(shí)現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們在石墨烯上來進(jìn)行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調(diào)整晶核生長得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因?yàn)槭┦菃渭兊牟牧希┥L會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的