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超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices張興旺中國科學院半導體所研究員ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

平片藍寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料MOCVD外延生長High quality AlN growth on flat sapphire at relative low temperature by MOCVD趙德剛中國科學院半導體所研究員ZHAO DegangProfesor of Institute of Semiconductors, CAS

陳雄斌研究員在報告中介紹了單向710Mbps傳輸VLC系統(tǒng)和對稱的100Mbps互聯(lián)網(wǎng)接入系統(tǒng)。他表示，可見光通信這項無線光通信新技術比

中科院半導體所張翔帶來了關于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領域的研究動態(tài)以及研究成果。

中國科學院半導體研究所研究員，科技部重點研發(fā)計劃專項項目負責人王軍喜分享《深紫外LED研發(fā)進展及國家重點研發(fā)計劃深紫外項目》

報告簡介：基于深層瞬態(tài)光譜學的Al/Ti 4H-SiC肖特基結構缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學院半導體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

中科院半導體研究所的研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”主題報告。 她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結構形式去考慮，從器件的結構上怎么樣提高性能。第二個芯片發(fā)展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應用空間，從應用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據(jù)應用設計出來全新結構的芯片結構形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成

中國科學院半導體研究所副研究員楊華在介紹了照明與顯示技術的集成框架研究報告。他表示，技術、成本和應用場景是照明與現(xiàn)實技術融合的關鍵因素。通過對光源技術發(fā)展的分析目前主要的照明技術與顯示技術的基本架構、控制難度和成本組成。給出了照明與現(xiàn)實技術融合的技術與成本條件。同時對照明與現(xiàn)實技術融合的應用場景進行了分類分析。 　　照明和顯示的融合是隨著燈具技術適應更多樣化的需求以及顯示控制技術成本的降低，使得產(chǎn)品既能提供一定顯示功能，同時也能夠提供照明功能技術趨勢，它主要涉及到的技術內(nèi)容可能包括廉價怎么降低成本

中國科學院半導體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇