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近日，Luceda China總經(jīng)理曹如平博士做客半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)芯友薈，分享了新時(shí)代趨勢(shì)下，光電子集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的變化、機(jī)遇與挑戰(zhàn)，以及Luceda的發(fā)展策略與思考。

基于量產(chǎn)的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA蘇州思體爾軟件科技有限公司總經(jīng)理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.

面向AR微顯示應(yīng)用的超小尺寸氮化物Micro-LED研究Study on ultra-small III-nitride Micro-LEDs for AR applications汪萊清華大學(xué)信息電子工程系光電子研究所所長WANG LaiInstitute of Information Optoelectronic Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University

氮化鎵光電子融合集成及應(yīng)用Monolithic III-nitride multicomponent system and its applications嚴(yán)嘉彬南京郵電大學(xué)教授WANG Yongjin Professor of Nanjing University of Posts and Telecommunications

寬禁帶材料具有非中心對(duì)稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過程被忽略。近年來對(duì)于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計(jì)研發(fā)。會(huì)上，王中林院士帶來了壓電學(xué)理論與研究成果的分享，報(bào)告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)

Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個(gè)科學(xué)問題張榮--廈門大學(xué)校長、教授

《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強(qiáng)，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，廈門大學(xué)

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種