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第三代半導體材料在不同領域的應用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應用突破口，伴隨著元宇宙等新時代的展開，Micro-LED顯示應用又迎來了一波新的發(fā)展機遇，作為應用的支撐，技術的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領的團隊在氮化物半導體基顯示技術方面的最新研究及成果。報告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設計、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細分享了團隊最新的多個研究發(fā)現(xiàn)和研究

GaN基Micro-LED同質(zhì)外延及其性能表征王國斌*，閆其昂，周溯沅，李增林，蘇旭軍，劉宗亮，王建峰，徐科江蘇第三代半導體研究院有限公司中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司

InGaN基紅光Micro-LED器件研究莊喆*，劉斌，張榮南京大學

單片集成發(fā)光探測的深紫外micro-LED陣列光通信應用單心怡，田朋飛*，朱世杰，仇鵬江，錢澤淵，林潤澤，汪舟，崔旭高復旦大學

GaN基高速藍綠光Micro-LED研究進展汪萊*，王磊，李振浩，郝智彪，羅毅清華大學

面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學