山東大學徐現(xiàn)剛教授：半導體激光器的理論和實踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應用。但是GaAs基大功率半導體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應用的關(guān)鍵問題，如何進一步提高激光器的光電性能是半導體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細分享了GaAs半導體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x
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