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氮化鋁基半導體材料及器件的最新進展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎研究實驗室負責人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

太陽能衛(wèi)星及相關波束無線電力傳輸技術的最新研發(fā)進展Recent RD of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer TechnologyNaoki SHINOHARA日本京都大學教授NaokiSHINOHARAProfessor of Kyoto University,Japan

Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasersTetsuya TAKEUCHI日本名城大學教授Tetsuya TAKEUCHIProfessor of Meijo University,Japan

日本名城大學副教授Motoaki IWAYA 帶來了關于基于AlGaN 激光的發(fā)展現(xiàn)狀的報告。

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平分享了《常關型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術報告。敖金平博士1989年畢