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基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學理學部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University

AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences

超高熱導率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學工學院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University

GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛(wèi)星制造廠有限公司領域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd

AlGaN基低維量子結構外延和電導率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學物理學院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應用的廣泛關注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學馮玉霞博士結合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。

北京大學劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。