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Tibor GRASSER教授：Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs

視頻IFWS > IFWS20222025-09-21 11:13

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46501515

稿件投訴

Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETsTibor GRASSER奧地利維也納工業(yè)大學(xué)微電子研究所所長(zhǎng)、教授Tibor GRASSERProfessor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universit?t Wien, Austria

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