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劉少煜：一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法

視頻WBSC 20212025-05-25 15:12

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稿件投訴

《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

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