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劉婷：Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped

視頻WBSC 20212025-01-10 11:58

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46501515

稿件投訴

Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國(guó)浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學(xué)未來(lái)材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學(xué)電子學(xué)系，北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院

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