蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 董事長 張乃千　　張乃千董事長技術(shù)出身，實(shí)力雄厚。1995年清華大學(xué)電子工程系本科畢業(yè)，2002年在加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校獲得電子工程博士學(xué)位。在攻讀博士期間，他采用表面鈍化技術(shù)在業(yè)界率先解決了困擾氮化鎵（GaN）器件射頻功率輸出的電流崩塌效應(yīng)，為氮化鎵微波器件的產(chǎn)業(yè)化鋪平了道路。他還開發(fā)出了世界上第一個(gè)氮化鎵電力電子器件，開啟了氮化鎵應(yīng)用的新篇章和一個(gè)全新的產(chǎn)業(yè)。張乃千2002年在RFM