英國(guó)布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL做了關(guān)于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)的報(bào)告，具體介紹了該技術(shù)的研究背景，并結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，介紹了該技術(shù)的研究成果，及未來的一些應(yīng)用領(lǐng)域。 其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發(fā)展勢(shì)頭很強(qiáng)勁，當(dāng)前，通訊、雷達(dá)等應(yīng)用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎(chǔ)上的，隨著數(shù)據(jù)化的發(fā)展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會(huì)有局限，開發(fā)金剛石襯底是一個(gè)不錯(cuò)的嘗試。Martin KUBALL詳細(xì)分享了當(dāng)前開發(fā)GaN-on-Diamon