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2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

滬硅產(chǎn)業(yè)宣布70億元重大資產(chǎn)重組

2025（前灣）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)暨芯片器件及應(yīng)用項(xiàng)目路演活動(dòng)即將舉辦

會(huì)議通知 | 2025（前灣）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)

總投資35億元，奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目通線投產(chǎn)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所張韻：鎵體系半導(dǎo)體材料與集成電路發(fā)展展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|中電科第四十八研究所謝添樂(lè)：寬禁帶化合物半導(dǎo)體外延關(guān)鍵裝備解決方案

2025云南晶體大會(huì)前瞻|北京大學(xué)王嘉銘：III族氮化物AlGaN基紫外發(fā)光器件結(jié)構(gòu)堆垛研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)楊杰：III-V族和IV族半導(dǎo)體晶片及其外延材料的缺陷溯源分析

2025云南晶體大會(huì)前瞻|鑫耀半導(dǎo)體韋華：VGF法磷化銦熱場(chǎng)優(yōu)化控制對(duì)單晶缺陷形成的影響

2025云南晶體大會(huì)前瞻|昆明云鍺李寶學(xué)：大尺寸紅外鍺單晶的研究進(jìn)展

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南師范大學(xué)郭杰：鍺硫?qū)倩衔颎e-VIA（GeS/GeSe/GeTe）二維材料的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|天科合達(dá)劉春俊：大尺寸碳化硅襯底和外延產(chǎn)業(yè)進(jìn)展

突破12英寸！科友半導(dǎo)體成功制備12英寸碳化硅晶體

突發(fā)！美國(guó)撤銷(xiāo)7家中國(guó)實(shí)驗(yàn)室機(jī)構(gòu)的認(rèn)證許可！

注冊(cè)資本20億，南京華天先進(jìn)封裝公司正式成立

30000片！華潤(rùn)微電子重慶12吋項(xiàng)目提前達(dá)成項(xiàng)目規(guī)劃目標(biāo)

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與研究

合肥集成電路產(chǎn)業(yè)鏈加快完善華芯徽測(cè)完成工商注冊(cè)登記

總投資3億元韓國(guó)半導(dǎo)體晶圓載具項(xiàng)目落戶海門(mén)經(jīng)開(kāi)區(qū)

2025云南晶體大會(huì)前瞻|浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心韓學(xué)峰：PVT法生長(zhǎng)4H-SiC晶體的缺陷形成與摻雜機(jī)理研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|西安電子科技大學(xué)寧?kù)o：超寬禁帶半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)及器件研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南臨滄鑫圓鍺業(yè)包世濤：中國(guó)鍺產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀與高質(zhì)量發(fā)展路徑展望

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)王茺：GaSb基異質(zhì)薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)機(jī)理及其光電探測(cè)性能研究

星鑰半導(dǎo)體8英寸Micro-LED芯片中試線在光谷通線

2025云南晶體大會(huì)前瞻|云南大學(xué)邱鋒：晶體本征缺陷的理論研究及晶片表面非故意缺陷的性能調(diào)控

業(yè)內(nèi)首個(gè)人形機(jī)器人觸覺(jué)訓(xùn)練中心在光谷啟用，千萬(wàn)級(jí)數(shù)據(jù)庫(kù)今年內(nèi)進(jìn)入市場(chǎng)

標(biāo)準(zhǔn) | 長(zhǎng)春光機(jī)所牽頭的3項(xiàng)光治療用柔性LED光源測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

晶飛半導(dǎo)體：12英寸碳化硅晶圓激光剝離技術(shù)取得新突破！

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