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日本名古屋大學(xué)宇治原徹：CFD模擬預(yù)測(cè)系統(tǒng)在SiC生長(zhǎng)中的應(yīng)用

IGBT龍頭斯達(dá)半導(dǎo)擬投資2.29億元布局碳化硅賽道

科技部部長(zhǎng)王志剛：完善科技創(chuàng)新體制機(jī)制

南大光電自主研發(fā)第一只國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠通過(guò)驗(yàn)證

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進(jìn)展

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計(jì)

華北電力大學(xué)李學(xué)寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問(wèn)題研究

重慶大學(xué)曾正:碳化硅功率模塊的先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問(wèn)題的研究

廈門大學(xué)邱宇峰教授：碳化硅功率半導(dǎo)體器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

中山大學(xué)黎城朗：凹槽深度對(duì)GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學(xué)特性的影響研究

英諾賽科謝文元：八英寸硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展

電子科技大學(xué)教授周琦：基于超薄勢(shì)壘AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)與混合陽(yáng)極二極管技術(shù)的功率整流器與微波混頻器

中國(guó)空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖：寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)

北京大學(xué)尹瑞苑：氮化鎵MIS結(jié)構(gòu)界面相關(guān)陷阱態(tài)：物性、表征及模型

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強(qiáng)型HEMT電力電子器件

南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN功率器件及其上電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

照明工程行業(yè)上市公司名家匯擬布局功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

中國(guó)信通院：未來(lái)2-3年我國(guó)5G發(fā)展仍處有利時(shí)機(jī)，但面臨諸多挑戰(zhàn)

Cree與Tek將于12月23日聯(lián)合直播，寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件發(fā)展及在OBC應(yīng)用

中國(guó)電科十三所王元?jiǎng)偅焊咝阅蹽a2O3，SBD功率器件研究

山東大學(xué)張雷：溫度梯度對(duì)PVT法生長(zhǎng)AlN晶體的影響

鄭州大學(xué)劉玉懷：金剛石襯底上六方相氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延

?東芝和富士電機(jī)將投資20億美元發(fā)展功率器件

中芯國(guó)際等21家中企，被剔除道瓊斯指數(shù)

泰科天潤(rùn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底通線投產(chǎn)

重磅！蔣尚義回歸中芯國(guó)際！

世界先進(jìn)尋求收購(gòu)，緩解八英寸產(chǎn)能

計(jì)劃明年5月試生產(chǎn)12英寸晶圓流片，祿億半導(dǎo)體項(xiàng)目預(yù)計(jì)明年下半年投產(chǎn)

2020半導(dǎo)體及元件企業(yè)50強(qiáng)

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