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2025云南晶體大會(huì)前瞻| 昆明理工大學(xué)鄧家云:磷化銦晶圓力學(xué)性能與加工性能研究

突發(fā)！美國(guó)撤銷臺(tái)積電大陸廠半導(dǎo)體設(shè)備豁免

總投資規(guī)模20億元，重慶新陵微6寸功率半導(dǎo)體廠房及配套設(shè)施項(xiàng)目將于10月投用

安靠將斥資20億美元在美國(guó)打造先進(jìn)封裝測(cè)試工廠，2028年投產(chǎn)

宜欣科技車規(guī)級(jí)芯片測(cè)試二期工程項(xiàng)目，正式啟用！

惠州雷曼入選2025年廣東省先進(jìn)級(jí)智能工廠

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國(guó)晶微半導(dǎo)體

韶光芯材高精密半導(dǎo)體與高世代FPD光掩模基板制造基地項(xiàng)目迎新進(jìn)展

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

2025云南晶體大會(huì)前瞻| 中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)研究

固定資產(chǎn)63億元，先導(dǎo)科技光芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目落戶佛山南海

投資公司成立、孵化基地封頂，光谷化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)進(jìn)入全面建設(shè)階段

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強(qiáng)度研究中取得重要進(jìn)展

芯碁微裝向港交所提交上市申請(qǐng) 為全球最大的PCB直接成像設(shè)備供應(yīng)商

60億元！恒美光電收購(gòu)三星SDI偏光片業(yè)務(wù)順利完成交割

第八屆電動(dòng)工具與清潔電器技術(shù)論壇進(jìn)入倒計(jì)時(shí)

超芯星革新性推出8mΩ·cm低阻碳化硅襯底

綠色+AI雙管齊下金士頓閃亮2025深圳國(guó)際電子展

悉智科技寬禁帶功率模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約落戶!

總投資160億！榮芯12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目開工

固定投資達(dá)63億元，廣東先導(dǎo)稀材光芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約落戶佛山

總投資約5億元，芯碁微裝二期項(xiàng)目投產(chǎn)

和遠(yuǎn)和遠(yuǎn)湖北1.4億電子特氣項(xiàng)目獲批

Wolfspeed參考設(shè)計(jì)：60kW 雙有源橋隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

西電郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、寧?kù)o教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

第五屆紫外LED大會(huì)暨長(zhǎng)治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會(huì)勝利閉幕

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

標(biāo)準(zhǔn) | 《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗(yàn)方法》發(fā)布

基本半導(dǎo)體與東芝達(dá)成戰(zhàn)略合作

中國(guó)科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

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