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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|日本國(guó)立物質(zhì)材料研究所廖梅勇：n型溝道金剛石MOSFET的演示

中國(guó)科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補(bǔ)單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

CSPSD 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：GaN和Ga2O3中的多維器件超結(jié)、多溝道和FinFET

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測(cè)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡(jiǎn)單

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

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北京大學(xué)申請(qǐng)p溝道氮化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)電流密度的增加

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)TrenchMOSFET器件的自對(duì)準(zhǔn)的制備方法專利，進(jìn)一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

北京大學(xué)申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET

東芝推出采用最新一代工藝150V N溝道功率MOSFET大幅提高電源效率

南科大馬俊在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

如何在先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和自動(dòng)駕駛 (AD) 應(yīng)用中使用雷達(dá)收發(fā)

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