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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)任澤陽(yáng)：金剛石表面終端電導(dǎo)器件和散熱應(yīng)用研究

Wolfspeed參考設(shè)計(jì)：采用頂部散熱U2封裝的13kW高效率電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器

臺(tái)積電鎖定12英寸碳化硅新戰(zhàn)場(chǎng)，布局AI時(shí)代散熱關(guān)鍵材料

解析 Wolfspeed 頂部散熱 (TSC) 碳化硅功率器件

總投資超5億元！賽英電子功率半導(dǎo)體模塊散熱基板項(xiàng)目正式開工

青禾晶元鍵合技術(shù)突破GeOI產(chǎn)業(yè)化瓶頸：散熱效率提升40%、鍵合面積提升至95%以上！

Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

突破芯片散熱瓶頸！天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)全球最小高能效MEMS冷卻器

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究

征世科技成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片

安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

賀利氏電子搶先進(jìn)封裝推新材料解決散熱

力量鉆石半導(dǎo)體高功率金剛石散熱材料項(xiàng)目簽約儀式在睢陽(yáng)高新區(qū)成功舉行

蘭新半導(dǎo)體封裝新材料生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目5G散熱片生產(chǎn)車間竣工驗(yàn)收

廈門大學(xué)于大全教授團(tuán)隊(duì)與華為團(tuán)隊(duì)合作在先進(jìn)封裝金剛石散熱技術(shù)領(lǐng)域取得突破

科學(xué)家研發(fā)出新型散熱材料超薄金剛石膜可將電動(dòng)汽車充電速度提升五倍

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

大阪公立大學(xué)梁劍波：增強(qiáng) GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能，以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

湖南科技大學(xué)材料學(xué)院在半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域取得新進(jìn)展

杭州蕭山半導(dǎo)體散熱新材料制造項(xiàng)目開工總投資5億元

簡(jiǎn)述電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

金剛石在器件散熱應(yīng)用中的研究動(dòng)態(tài)幾則

淺述IGBT在高功率環(huán)境中的散熱方法

高壓大功率芯片封裝的散熱研究與仿真分析

美國(guó)Analog設(shè)備張薇葭：基于直接鍵合工藝液冷散熱技術(shù)的緊湊型氮化鎵功率模塊設(shè)計(jì)及其熱學(xué)模型研究

固體所研發(fā)出新型高效固態(tài)熱二極管

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