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我國(guó)科學(xué)家實(shí)現(xiàn)材料突破，可用于開發(fā)低功耗芯片

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

我國(guó)科學(xué)家開發(fā)出面向新型芯片的絕緣材料

晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)生產(chǎn)線落戶南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)

“高純碳化硅材料中試開發(fā)”項(xiàng)目完成簽約

賽米控丹佛斯IGBT半導(dǎo)體功率模塊項(xiàng)目簽約南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)

清純半導(dǎo)體與悉智科技簽訂車載SiC芯片定制開發(fā)戰(zhàn)略合作協(xié)議

清純半導(dǎo)體和悉智科技簽署SiC芯片定制開發(fā)戰(zhàn)略合作協(xié)議

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實(shí)現(xiàn)新突破

日本半導(dǎo)體公司Rapidus有望獲政府貸款擔(dān)保，計(jì)劃開發(fā)2納米制程

英特爾聯(lián)手日本14家公司開發(fā)半導(dǎo)體自動(dòng)化技術(shù)：預(yù)計(jì)2028年實(shí)用化

Power Integrations收購(gòu)GaN開發(fā)商Odyssey半導(dǎo)體資產(chǎn)

日本開發(fā)在磁場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

SK海力士聯(lián)合TEMC開發(fā)半導(dǎo)體行業(yè)首個(gè)氖氣回收技術(shù)

Marvell 美滿電子宣布與臺(tái)積電合作，開發(fā) 2nm 芯片生產(chǎn)平臺(tái)

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

上海合晶：將積極探索及開發(fā)CIS等模擬器件使用12英寸外延片產(chǎn)品

香港科技大學(xué)開發(fā)高效結(jié)合III-V與硅的新集成技術(shù) 有助革新數(shù)據(jù)通信

英特爾與日本NTT合作開發(fā)光電融合半導(dǎo)體

聯(lián)電、英特爾宣布合作開發(fā)12nm芯片制程，2027年投產(chǎn)

江寧開發(fā)區(qū)加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

豐田、本田、電裝、瑞薩電子等12家日企宣布合作開發(fā)高性能汽車芯片

南京浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū) 凝聚第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力量

中科大孫海定教授：用于日盲光通信的高效DUV微型LED和新型光電探測(cè)器的開發(fā)

賽微電子：擬與子公司以1.8億元設(shè)合資公司，實(shí)施MEMS高頻通信器件制造工藝開發(fā)項(xiàng)目

IFWS 2023│博睿光電梁超：面向高功率器件的超高導(dǎo)熱AIN陶瓷基板的研制及開發(fā)

IFWS 2023│廈門大學(xué)徐翔宇：氧化鎵缺陷研究，合金工程電子結(jié)構(gòu)調(diào)制以及日盲光電探測(cè)器的開發(fā)

IFWS 2023│三安光電王俞授：大功率藍(lán)綠激光器開發(fā)與應(yīng)用

天馬與三安半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議聚焦車載LED芯片技術(shù)開發(fā)

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