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上海合晶：正推進12英寸55納米CIS外延片量產

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廣州拓諾稀科技氧化鎵外延項目即將投產

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏：氧化鎵異質外延生長及材料特性研究

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

華潤微電子：潤新微電子外延生產基地建成

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質量

碳化硅外延供應商瀚天天成沖刺港交所

晶湛半導體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺助力AR眼鏡商業(yè)化進程

采用金屬有機化學氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

助力科技中國戰(zhàn)略！蓋澤參編的《埋層硅外延片》GB國家標準正式實施

西湖大學工學院孔瑋團隊提出β-Ga?O? (100)面的單晶同質外延方法

瀚天天成8英寸碳化硅外延晶片廠房建設完成，設備購置將在3月收官

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

總投資12.3億元，立昂微年產96萬片12英寸硅外延片項目落地

新微半導體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結構及其校驗方法”專利公布

總投資12.3億，立昂微年產96萬片12英寸硅外延片生產項目落戶

突破！國產SiC外延設備首次大規(guī)模發(fā)貨！

北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠程外延晶體鈣鈦礦

全磊光電化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產業(yè)化項目開工

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《異質外延氮化鎵外延層厚度測試白光干涉法》CSA團體標準第一次討論會召開

天域半導體取得水平氣流SiC外延設備石英鐘罩內壁清潔工具專利，能夠保證石英鐘罩的清潔效果符合爐膛反應需求

成都士蘭半導體申請半導體外延結構及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應

北京智慧能源研究院SiC外延片公開招標采購項目公開招標公告

唐晶量子化合物半導體外延片研發(fā)和生產項目竣工投產

鎵和半導體李山：氧化鎵PECVD外延生長及光電信息感知器件研究

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