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IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|英國(guó)巴斯大學(xué)王望南：基于UVC和InGaN的紅光LED 的挑戰(zhàn)與最新進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞典隆德大學(xué)Anders GUSTASFSSON：用于RGB顯示器的微米級(jí)InGaN發(fā)光二極管高光譜陰極發(fā)光成像研究

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廈門(mén)大學(xué)盧衛(wèi)芳：GaN/InGaN基核-殼納米結(jié)構(gòu)選區(qū)外延及其Micro-LED器件制備研究

北京大學(xué)申請(qǐng)長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaN基發(fā)光二極管專(zhuān)利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

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廈門(mén)大學(xué)團(tuán)隊(duì)演示可同步輻射正交線偏振綠光的半極性InGaN基MCLED

南京大學(xué)莊喆：基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

SSLCHINA2023│北京大學(xué)教授陳志忠：利用溝槽結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)高效率InGaN紅光

【CASICON 2023】湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院（集成電路學(xué)院）李陽(yáng)鋒：原位AlGaN插入層降低InGaN LED漏電流

鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響

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