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東風(fēng)汽車與華科大簽合作框架協(xié)議，聯(lián)合研究院揭牌！

總投資達(dá)3億元，超晶光電研究院項(xiàng)目在寧波開(kāi)工

中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所董煥麗課題組在高偏振紫外日盲有機(jī)光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)工程物理研究院高松：半導(dǎo)體泵浦重頻激光模塊及激光技術(shù)進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|北京化工大學(xué)張紀(jì)才:（11-22）AlN材料的HVPE生長(zhǎng)及其二極管制備研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張逸韻:異質(zhì)集成氮化鎵微腔激光器及光電器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中晶芯源半導(dǎo)體楊祥龍：碳化硅單晶襯底材料的研究進(jìn)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所伍紹騰:基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：面向硅光集成的III-V族量子點(diǎn)材料與激光器

總投資30億元，東盟廣西第三代半導(dǎo)體研究院項(xiàng)目等簽約

CASICON晶體大會(huì)前瞻|上海交通大學(xué)王亞林：高壓SiC功率模塊封裝、測(cè)試及應(yīng)用研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所劉志強(qiáng)：氮化物位錯(cuò)演化及控制研究

中新國(guó)際聯(lián)合研究院和微納芯材共建半導(dǎo)體材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

中新國(guó)際聯(lián)合研究院和微納芯材共建半導(dǎo)體材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

中科院金屬研究所二維半導(dǎo)體器件研究獲得重要突破

南京大學(xué)—江蘇富樂(lè)德石英“半導(dǎo)體洗凈技術(shù)研究中心”簽約揭牌儀式

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|山東華光：高功率半導(dǎo)體激光器核心外延材料及芯片研究進(jìn)展

北京大學(xué)鄭州新材料高等研究院項(xiàng)目開(kāi)工

以小晶體帶動(dòng)大產(chǎn)業(yè)，濟(jì)南晶谷研究院打造具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群

自然科學(xué)基金委發(fā)布集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)重大研究計(jì)劃2024年度項(xiàng)目指南最高1500萬(wàn)元/項(xiàng)

武漢大學(xué)聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運(yùn)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

美國(guó)斥資110億美元推動(dòng)半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結(jié)構(gòu)與機(jī)理研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大學(xué)王曦：光控型SiC功率器件的理論與實(shí)驗(yàn)研究

CSPSD 2024成都前瞻|西安電子科技大學(xué)何艷靜：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學(xué)劉人寬：基于多層級(jí)多場(chǎng)域的壓接型IGBT模塊失效演化機(jī)制研究

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