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招賢納士 | 復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所誠(chéng)聘博士后研究人員

兩會(huì)聲音|全國(guó)人大代表傅志偉：半導(dǎo)體行業(yè)必須加強(qiáng)基礎(chǔ)研究，在自主創(chuàng)新道路上走出‘芯’路

湖南大學(xué)長(zhǎng)沙半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新研究院產(chǎn)業(yè)化基地揭牌

《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》發(fā)布2023年度中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長(zhǎng)效率和質(zhì)量

“基于第三代半導(dǎo)體射頻微系統(tǒng)芯片研究”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目啟動(dòng)

【招聘】中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所寬禁帶半導(dǎo)體方向誠(chéng)聘博士后

華南師范大學(xué)王幸福：GaN微納結(jié)構(gòu)及其光電子器件研究

廈門(mén)市翔安區(qū)-6-8英寸SiC外延晶片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目可行性研究報(bào)告

中國(guó)電科第四十八研究所40臺(tái)SiC外延設(shè)備成功Move in

上海交大無(wú)錫光子芯片研究院光子芯片中試線(xiàn)首批設(shè)備入場(chǎng)

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

廈門(mén)大學(xué)張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

易美新創(chuàng)劉國(guó)旭：?jiǎn)尉{(lán)綠雙波長(zhǎng)LED在寬色域背光應(yīng)用的研究

山東大學(xué)徐明升：SiC的高溫氧化研究

IFWS 2023│九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦吞蓟铚喜燮骷夹g(shù)研究進(jìn)展

IFWS 2023│南砂晶圓/山東大學(xué)楊祥龍：大尺寸SiC單晶的研究進(jìn)展

基金委部署集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)研究計(jì)劃

IFWS 2023│華南師范大學(xué)尹以安：具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

IFWS 2023│晶格領(lǐng)域張澤盛：液相法碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究

北京大學(xué)無(wú)錫EDA研究院，揭牌！

北京大學(xué)無(wú)錫EDA研究院在無(wú)錫高新區(qū)揭牌

中國(guó)科學(xué)院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進(jìn)展

IFWS 2023│日本國(guó)立材料研究所桑立雯：GaN MEMS/NEMS應(yīng)變調(diào)控諧振器

IFWS 2023│南方科技大學(xué)于洪宇：Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長(zhǎng)及深能級(jí)缺陷研究

NEC全彩LED恒晶屏點(diǎn)亮文獻(xiàn)資料研究館

IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長(zhǎng)GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

SSLCHINA2023│國(guó)星光電研究院趙龍：Micro LED顯示技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用趨勢(shì)

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