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4H-SiC紫外光電探測(cè)器最新成果

技術(shù)分享 | GaN器件驅(qū)動(dòng)及簡化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的方法

SiC 動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法簡述

西安交大在氧化物薄膜外延領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

三星計(jì)劃三年內(nèi)打造 3 納米 GAA（Gate-all-around）工藝

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所新型顯示團(tuán)隊(duì)在微器件巨量組裝和集成領(lǐng)域重要研究進(jìn)展

工作溫度橫跨400度！工研院VLSI發(fā)表世界頂尖“磁性存儲(chǔ)器”技術(shù)

柵極驅(qū)動(dòng)器以及 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)分析

SiC MOS產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題分析與設(shè)計(jì)建議

廈門大學(xué)課題組在超高響應(yīng)度日盲光電探測(cè)紙研究重要進(jìn)展

華為公布量子芯片新專利，若實(shí)現(xiàn)商用或革新當(dāng)下硅基芯片技術(shù)

多層MoS2外延晶圓推動(dòng)二維半導(dǎo)體器件應(yīng)用的研究進(jìn)展

超結(jié) IGBT 最新研究進(jìn)展

廈大蔡端俊教授課題組在實(shí)驗(yàn)上第一次成功獲得二維半導(dǎo)體h-BN的n型導(dǎo)電

中科院上海光機(jī)所在單頻589nm光纖激光器研究方面取得進(jìn)展

SiC MOSFET的Vgs門極電壓的選取及其影響

先進(jìn)碳化硅技術(shù)助力儲(chǔ)能系統(tǒng)

清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)研制出國際首款實(shí)時(shí)超光譜成像芯片

上海交大材料學(xué)院郭益平教授課題組在柔性壓電傳感器的研究中取得新進(jìn)展

南科大鄧巍巍課題組在打印制備剪紙有機(jī)光伏電池領(lǐng)域取得新成果

上海光機(jī)所在光尋址空間光調(diào)制器方面取得新進(jìn)展

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在寬禁帶半導(dǎo)體EUV探測(cè)器領(lǐng)域取得新進(jìn)展

研究實(shí)現(xiàn)44GHz超高頻SAW諧振器刷新目前工作頻率紀(jì)錄

北大張青課題組在硒化銦材料靜水壓熒光調(diào)控及近紅外激光研究方面取得進(jìn)展

?Wolfspeed：先進(jìn)碳化硅技術(shù)，助力簡化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)

清華大學(xué)陳誼課題組在鈣鈦礦太陽能電池領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中國科大在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

中科院上海微系統(tǒng)所在Nature Electronics報(bào)道晶圓級(jí)范德華接觸陣列研究重要進(jìn)展

Wolfspeed：碳化硅技術(shù)在并網(wǎng)型應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

GaN 封裝技術(shù)研究進(jìn)展

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