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【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET
評論 ?
2023-06-13 18:10
具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET
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2023-06-13 17:13
世界最好水平!奧趨光電推出新一代超高透過率AlN單晶襯底
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2023-06-12 09:28
簡述GaN 外延生長方法及生長模式
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2023-06-08 16:20
國際團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種“3D光量子存儲器”原創(chuàng)技術(shù)
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2023-06-08 14:57
中國科大在功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
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2023-06-08 10:48
基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢壘二極管
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2023-06-08 09:44
上海光機(jī)所在特殊波長的飛秒超快光纖激光器研制方面獲進(jìn)展
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2023-06-06 11:53
中科院微電子所:在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進(jìn)展
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2023-06-06 11:30
臺積2納米試產(chǎn) 有動作了
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2023-06-05 09:54
CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》
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2023-05-26 13:44
簡述半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢
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2023-05-25 15:55
中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技術(shù)及應(yīng)用通過技術(shù)鑒定
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2023-05-23 17:44
“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布
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2023-05-22 17:13
廈門大學(xué)團(tuán)隊(duì)發(fā)表Mini-LEDs非接觸檢測新技術(shù)
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2023-05-17 14:22
廈門大學(xué)張洪良團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進(jìn)展
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2023-05-16 15:38
中國科大參與實(shí)現(xiàn)“超快調(diào)速”自旋量子比特
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2023-05-16 14:05
廈大團(tuán)隊(duì)在Micro-LED全彩顯示技術(shù)方面取得突破
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2023-05-16 11:07
成果上新!8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功
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2023-05-15 18:05
科友6/8英寸碳化硅規(guī)模化生產(chǎn)取得重大技術(shù)突破
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2023-05-12 17:05
南科大化夢媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用
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2023-05-12 16:49
南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破
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2023-05-11 09:47
詳解碳化硅晶片的磨拋工藝方案
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2023-04-28 10:25
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
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2023-04-27 16:12
國內(nèi)首次太赫茲軌道角動量的實(shí)時無線傳輸通信實(shí)驗(yàn)完成 6G關(guān)鍵技術(shù)有新突破
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2023-04-19 18:11
中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高靈敏X-射線探測
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2023-04-19 17:59
簡述激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用
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2023-04-17 16:48
簡述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究
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2023-04-14 18:40
上海微系統(tǒng)所等在自參考太赫茲雙光梳方面取得重要進(jìn)展
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2023-04-14 18:36
北京大學(xué)攻克激光雷達(dá)抗干擾和高精度并行探測兩個世界性難題
評論 ?
2023-04-13 17:44
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