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中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展候選推薦——溶液生長BiI/BiI3范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高靈敏X-射線探測

簡述基于可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜的氧氣濃度高靈敏度檢測研究

基于金剛石的先進(jìn)熱管理技術(shù)研究進(jìn)展

復(fù)旦研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)單芯片紫光Micro-LED超過10Gbps通信速率

廈大與黑龍江大學(xué)研究人員合作在有機(jī)光子器件及其集成領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

西安交大科研人員在垂直結(jié)構(gòu)hBN/BAlN異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性研究方面取得重要進(jìn)展

廈大研究團(tuán)隊(duì)在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進(jìn)展

國際首次！科研團(tuán)隊(duì)在基于碳化硅硅空位色心的高壓原位磁探測研究方面取得突破

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)自激活存算一體超快閃存

簡述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展

突破！中國科大研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性開發(fā)出半導(dǎo)體材料激光直寫方法

半導(dǎo)體所在激子-聲子的量子干涉研究中獲進(jìn)展

簡述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長研究

簡述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

簡述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團(tuán)隊(duì)利用藍(lán)紫光LED泵浦實(shí)現(xiàn)雙波長放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

東大團(tuán)隊(duì)研究成果榮膺2022年度“中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

2022年度中國半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

長春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

中國科大在低維光伏材料點(diǎn)缺陷性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場效應(yīng)晶體管器件

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作發(fā)明晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院在二維半導(dǎo)體超薄介電層集成技術(shù)研究取得重要進(jìn)展

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