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國家工程研究中心
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突破:磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能
評論 ?
2025-04-21 19:05
西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表
最新
研究成果
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2025-04-02 19:08
浙大團隊
最新
《Science》:半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料的壓電效應(yīng)
評論 ?
2025-03-18 16:42
香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布多項氮化鎵、碳化硅的
最新
研究進展
評論 ?
2025-02-18 10:32
從安森美幾款
最新
品發(fā)布看電源技術(shù)的綠色變革路線圖
評論 ?
2025-01-15 15:29
Nature | 康奈爾大學(xué):光電功能器件
最新
突破
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2024-10-11 16:32
IMEC使用ASML
最新
High-NA EUV取得芯片制造突破
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2024-08-08 08:58
光谷光通信傳輸
最新
成果,又破世界紀(jì)錄!
評論 ?
2024-08-05 15:30
日本團隊:金剛石MOSFET研制取得
最新
進展
鉆石
MOSFET
評論 ?
2023-12-29 16:52
武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域
最新
研究進展
評論 ?
2023-12-21 18:02
華為公布倒裝芯片封裝
最新
專利!
評論 ?
2023-08-17 09:48
湖南三安發(fā)布
最新
1200V碳化硅MOSFET系列,包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ
評論 ?
2022-09-05 18:43
6英寸高品質(zhì)GaN晶體
最新
進展
評論 ?
2022-07-14 19:16
英特爾研究院
最新
研究在多波長集成光學(xué)領(lǐng)域取得新進展
評論 ?
2022-06-29 12:01
4H-SiC紫外光電探測器
最新
成果
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2022-06-24 14:42
超結(jié) IGBT
最新
研究進展
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2022-06-10 14:28
? Wolfspeed:采用碳化硅技術(shù),滿足
最新
能效標(biāo)準(zhǔn)
評論 ?
2022-05-23 13:22
金剛石MOSFET器件
最新
成果!在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件
評論 ?
2022-04-25 10:43
均勻度提升32% Micro-LED背光模組
最新
技術(shù)進展
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2022-03-28 11:10
西電周弘教授:超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件
最新
研究進展
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2022-02-22 13:35
西電張進成教授團隊
最新
成果:基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪娦虯lGaN/GaN HEMTs
評論 ?
2021-12-22 16:28
首款隱形AR眼鏡Mojo Lens
最新
進展,具備14000 PPI的Micro LED顯示屏
14000
PPI
Micro
LED
顯示屏
隱形
AR眼鏡
Mojo
Lens
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2021-08-25 17:08
黃勁松
最新
Science:穩(wěn)定基底界面!高效率鈣鈦礦光伏組件
黃勁松
Science
穩(wěn)定基底界面
高效率
鈣鈦礦
光伏組件
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2021-08-20 11:36
碳化硅(SiC)迎來爆發(fā)!盤點今年1月份國外SiC的
最新
進展及技術(shù)
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2021-02-02 14:22
國外SiC的
最新
進展及技術(shù)
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2021-02-01 11:29
InGaN μLED外部量子效率改進
最新
研究成果 有望消除高性能μLED發(fā)展瓶頸
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2020-07-27 14:59
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