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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財經(jīng)應(yīng)用

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長獲得成功

超芯星6英寸碳化硅襯底進入美國高端市場

新研究顯示立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導(dǎo)體材料

中電科45所研制的雙8英寸全線自動化濕法整線設(shè)備進入國內(nèi)主流產(chǎn)線

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

Wolfspeed ：高功率應(yīng)用的可擴展性設(shè)計

國家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究團隊首次測定超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-砷化硼的載流子遷移率

南航物理學(xué)院科研團隊實現(xiàn)電泵浦單模激光二極管

車用IGBT模塊健康管理技術(shù)綜述

廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組實現(xiàn)WS?/HOPG 摩爾超晶格的直接合成

中科院上海微系統(tǒng)所團隊實現(xiàn)基于III-V族量子點確定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子學(xué)芯片

微電子封裝技術(shù)HIC、MCM 及 SIP的特點與相互關(guān)系

西安交大科研人員揭示弱光有機光伏器件中光電流高估的機理

比亞迪擬研發(fā)自動駕駛芯片

高功率大能量飛秒脈沖激光技術(shù)現(xiàn)狀和未來發(fā)展趨勢

上海交大電院周健軍教授課題組在模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片研究中取得重要進展

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進展

淺述IGBT在高功率環(huán)境中的散熱方法

西安交大云峰教授團隊在超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域取得重要進展

在納米圖案化藍寶石襯底（NPSS）上實現(xiàn)AlGaN基高效多量子阱的生長

GaN基紫外半導(dǎo)體激光器

Wolfspeed：SiC 功率模塊最大限度提高有源前端效率

中科院半導(dǎo)體所在硅基鍺錫中紅外探測器方面取得進展

廈門大學(xué)康俊勇教授團隊與乾照光電合作在提升綠光LED效率方面獲重大進展

中國團隊開發(fā)出一體化Micro LED器件目標是顯示和光學(xué)近場通信功能

大功率芯片研制獲突破

中國科學(xué)家在鍺錫材料分子束外延方面取得重要進展

碳化硅功率器件在車載充電機 OBC中的應(yīng)用簡述

微型成像系統(tǒng)應(yīng)用的介質(zhì)超構(gòu)透鏡進展及挑戰(zhàn)

大型電動汽車中電機控制器IGBT模塊驅(qū)動電路的設(shè)計思路簡述

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