11月11-14日，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（（IFWS&SSLCHINA2025）于廈門召開。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、廈門大學(xué)（XMU）共同主辦，惠新（廈門）科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。 

11-12日，本屆論壇特別設(shè)置的“專題技術(shù)培訓(xùn)及研討（ShortCourse）”開講，業(yè)界多位實(shí)力派專聚焦繞氮化鎵、碳化硅、氧化鎵等主題，深入分享共同探討第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域存在的瓶頸問(wèn)題、研究進(jìn)展和未來(lái)關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，跟蹤產(chǎn)業(yè)前沿趨勢(shì)，了解最新研發(fā)成果。 廈門大學(xué)特聘教授康俊勇，多倫多大學(xué)納米制造中心主任、教授吳偉東共同主持了此次專題技術(shù)培訓(xùn)。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長(zhǎng)兼秘書長(zhǎng)楊富華致辭 

廈門大學(xué)特聘教授康俊勇

多倫多大學(xué)納米制造中心主任、教授吳偉東

英國(guó)巴斯大學(xué)教授王望南

《基于UVC和InGaN的紅光LED的挑戰(zhàn)與最新進(jìn)展》

基于UVC和InGaN的紅光LED技術(shù)是當(dāng)前Micro LED顯示領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，隨著技術(shù)成熟，有望成為Micro LED全彩顯示的核心解決方案。英國(guó)巴斯大學(xué)教授王望南分享了“基于UVC和InGaN的紅光LED的挑戰(zhàn)與最新進(jìn)展”的主題報(bào)告，圍繞深紫外LED、InGaN紅光LED的挑戰(zhàn)，著重分享了晶格與熱失配、載流子濃度與遷移率：摻雜，光提取：吸收，高銦含量InGaN生長(zhǎng)過(guò)程中的相分離現(xiàn)象，光提取效率，先進(jìn)外延結(jié)構(gòu)，活性層與載流子管理，低缺陷模板與緩沖層生長(zhǎng)，高反射性接觸電極，空穴注入效率等內(nèi)容。

 蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)程凱

《MOVPE GaN外延基礎(chǔ)》

MOVPE（金屬有機(jī)化合物氣相外延）是制備GaN（氮化鎵）等半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵技術(shù)，其高精度和工業(yè)化潛力，成為GaN基器件制備的核心手段，未來(lái)在柔性電子、深紫外器件等領(lǐng)域仍有拓展空間，仍面臨著等晶格失配等挑戰(zhàn)。蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)程凱分享了“MOVPE GaN外延基礎(chǔ)”的主題報(bào)告，詳細(xì)解析MOVPE技術(shù)，分享GaN外延生長(zhǎng)的工藝實(shí)踐，具體介紹硅基GaN外延技術(shù)解決方案、硅基GaN LED結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，HEMT結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)等，并展望Micro-LED全彩化、300毫米硅基氮化鎵、氮化鎵/碳化硅混合系統(tǒng)等前沿發(fā)展趨勢(shì)。

 電子科技大學(xué)教授鄧小川

《高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)》

電子科技大學(xué)教授鄧小川做了“高壓碳化硅MOSFET器件性能提升技術(shù)的發(fā)展及其挑戰(zhàn)”的主題報(bào)告，從提升高壓碳化硅MOSFTT器件的低導(dǎo)通電阻性能出發(fā)，結(jié)合當(dāng)前國(guó)際主流廠商碳化硅功率器件的研究進(jìn)展，重點(diǎn)介紹碳化硅MOSFET器件在實(shí)現(xiàn)低損耗特性方面的研究成果以及面臨的關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)，包括降低導(dǎo)通電阻和寄生電容所采用的技術(shù)方法及其工作原理。同時(shí)也針對(duì)碳化硅MOSFTT器件瞬態(tài)可靠性問(wèn)題，從UIS、短路特性、浪涌特性、閾值電壓漂移以及宇宙射線輻射等角度介紹國(guó)內(nèi)外最新研究成果，較系統(tǒng)探討了現(xiàn)階段主流平面柵和溝槽柵碳化硅器件在瞬態(tài)極端應(yīng)力沖擊下器件失效的內(nèi)部物理機(jī)理，以及可靠性加固結(jié)構(gòu)和方案。并對(duì)低損耗碳化硅MOSFET器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行小結(jié)和展望。

 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)副院長(zhǎng)、教授楊樹

《氮化鎵功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)》

寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）功率電子器件能夠在電力電子應(yīng)用中提供高能效、高功率密度、高頻小型化、耐受極端環(huán)境等優(yōu)異性能，在消費(fèi)類電子、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車充電、激光雷達(dá)及航空航天等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。然而，常關(guān)型GaN功率電子器件在高頻高速開關(guān)過(guò)程中仍面臨由于多重陷阱效應(yīng)導(dǎo)致的動(dòng)態(tài)性能退化問(wèn)題，在空間輻照等極端條件下還存在性能漂移甚至器件失效的挑戰(zhàn)。中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)副院長(zhǎng)、教授楊樹做了“氮化鎵功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)”的主題報(bào)告，報(bào)告中討論了在高壓、軟/硬開關(guān)、高溫、輻照條件下GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能退化機(jī)制，并探討通過(guò)陷阱抑制/補(bǔ)償、器件結(jié)構(gòu)與工藝優(yōu)化來(lái)提升GaN功率電子器件的動(dòng)態(tài)性能與抗輻照能力。

香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)與集成電路研究中心副主任、教授張宇昊 

《面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用》

得益于大直徑氧化鎵晶圓及加工技術(shù)的突破，近年來(lái)氧化鎵功率器件技術(shù)取得了飛速發(fā)展。全球范圍內(nèi)已出現(xiàn)大面積安培級(jí)氧化鎵功率器件的報(bào)道，其研究范疇已從基礎(chǔ)研究驗(yàn)證拓展至器件封裝、電路級(jí)測(cè)試及耐久性評(píng)估。這些里程碑性進(jìn)展使氧化鎵成為唯一達(dá)到實(shí)用化商業(yè)化及應(yīng)用關(guān)鍵階段的超寬禁帶半導(dǎo)體材料。香港大學(xué)先進(jìn)半導(dǎo)與集成電路研究中心副主任、教授張宇昊做了“面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用”的主題報(bào)告，全面概述用于高壓、高溫及高功率應(yīng)用的氧化鎵器件，重點(diǎn)展示其拓展電力電子前沿領(lǐng)域的潛力。尤其通過(guò)采用多維器件架構(gòu)，我們已成功實(shí)現(xiàn)擊穿電壓超過(guò)10千伏、工作溫度穩(wěn)定高于200°C的氧化鎵二極管與晶體管。本課程將進(jìn)一步探討氧化鎵功率器件的封裝與穩(wěn)健性策略。具體而言，采用結(jié)面冷卻技術(shù)可有效緩解氧化鎵的固有熱限制，而獨(dú)特雙極異質(zhì)結(jié)的集成則實(shí)現(xiàn)了雪崩擊穿與浪涌電流的耐受性。并介紹首款兆瓦級(jí)功率容量多芯片氧化鎵功率模塊的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證成果?？傮w而言，器件創(chuàng)新、封裝設(shè)計(jì)與可靠性提升的協(xié)同進(jìn)展正在為氧化鎵在下一代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用鋪平道路。 

 香港科技大學(xué)教授張薇葭

《碳化硅功率 MOSFET 用有源柵極驅(qū)動(dòng)器綜述》

有源柵極驅(qū)動(dòng)器（AGD）已成為一個(gè)有前景的領(lǐng)域，通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)硬開關(guān)轉(zhuǎn)換速率來(lái)提高功率MOSFET的效率和性能，實(shí)現(xiàn)效率和EMI抑制之間的校準(zhǔn)權(quán)衡，并提供器件保護(hù)。香港科技大學(xué)教授張薇葭做了“碳化硅功率 MOSFET 用有源柵極驅(qū)動(dòng)器綜述”的主題報(bào)告，報(bào)告回顧碳化硅功率MOSFET的AGD拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，涵蓋分段柵極驅(qū)動(dòng)策略、轉(zhuǎn)換速率調(diào)整技術(shù)和可靠性保護(hù)方案。主要關(guān)注并聯(lián)電力系統(tǒng)中的短路保護(hù)、電流平衡和熱管理等主題。對(duì)每種方法的優(yōu)點(diǎn)、局限性和應(yīng)用進(jìn)行了比較和分析。 

 山東大學(xué)教授劉超

《垂直型氮化物功率器件》

氮化鎵（GaN）和氮化鋁鎵（AlGaN）等寬禁帶半導(dǎo)體憑借其相較于硅的卓越材料特性，為功率器件領(lǐng)域帶來(lái)了變革性潛力。盡管橫向氮化鎵器件已在中功率應(yīng)用領(lǐng)域取得商業(yè)成功，但垂直器件架構(gòu)對(duì)于下一代高壓、高功率密度系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要。山東大學(xué)教授劉超做了“垂直型氮化物功率器件”的主題報(bào)告，全面介紹基于垂直氮化鎵和氮化鋁鎵的功率器件最新研發(fā)進(jìn)展，涉及采用導(dǎo)電緩沖層和氟離子注入終端（FIT）技術(shù)的1.5千伏全垂直氮化鎵-硅溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FV-MOS）。氧等離子體處理技術(shù)等。

課程現(xiàn)場(chǎng)

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